| Ag与p-InP的肖特基势垒特性 |
| |
| 引用本文： | 李晋闽,郭里辉,张工力,侯洵.Ag与p-InP的肖特基势垒特性[J].半导体学报,1992,13(10):607-613. |
| |
| 作者姓名： | 李晋闽 郭里辉 张工力 侯洵 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所，中国科学院西安光学精密机械研究所，中国科学院西安光学精密机械研究所，中国科学院西安光学精密机械研究所 西安710068 中国科学院半导体研究所，西安710068，西安710068，西安710068 |
| |
| 摘 要： | 本文对Ag与p-InP所形成的肖特基势垒进行了研究.通过在不同的表面热清洁温度下,对p-InP表面进行的AES分析,得到其表面清洁的最佳条件为480℃,20分钟.在超高真空系统内(真空度为2.66 × 10~(-7)Pa),根据热清洁条件对半导体表面进行热清洁后,可获得接近理想状态的清洁表面.在该清洁表面上制备出p-InP的肖特基势垒高度和理想因子分别为0.73 eV和1.09.另外本文还对肖特基结经不同温度及时间热处理后结特性的退化进行了研究.
|
| 关 键 词： | p－InP 银 肖特基势垒 半导体材料 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
