| 并行遗传算法在半导体器件综合中的应用 |
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| 引用本文： | 谢晓锋,张文俊,阮骏,姚依,李钊,杨之廉.并行遗传算法在半导体器件综合中的应用[J].微电子学,2002,32(5):340-343. |
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| 作者姓名： | 谢晓锋 张文俊 阮骏 姚依 李钊 杨之廉 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 将并行遗传算法应用于器件综合,研究了基于孤岛模式的遗传算法的实现,并分析了算法参数,尤其是迁移间隔,对演化性能的影响.并行遗传算法可以利用多个计算机的计算能力,在较少的演化代数里获得所需要的结果.
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| 关 键 词： | 器件综合 并行遗传算法 半导体器件 孤岛模式 迁移 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)05-0340-04 |
| 修稿时间： | 2001年9月7日 |
Semiconductor Device Synthesis with Parallel Genetic Algorithm |
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| XIE Xiao feng,ZHANG Wen jun,RUAN Jun,YAO Yi,LI Zhao,YANG Zhi lian.Semiconductor Device Synthesis with Parallel Genetic Algorithm[J].Microelectronics,2002,32(5):340-343. |
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| Authors: | XIE Xiao feng ZHANG Wen jun RUAN Jun YAO Yi LI Zhao YANG Zhi lian |
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| Abstract: | Parallel genetic algorithm (PGA) is used for device synthesis The realization of genetic algorithm based on island model has been studied,and the effect of parameters,especially interval generation of migration,on the performance of the algorithm has been analyzed With the parallel genetic algorithm,the desired results can be obtained in less evolution generations by utilizing the calculation capability of multi computers |
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| Keywords: | Device synthesis Parallel genetic algorithm Semiconductor device Island model Migration |
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