| GaAs层引入InAs/Inp量子点有序生长机制的研究 |
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| 引用本文： | 殷景志,王新强,杜国同,杨树人. GaAs层引入InAs/Inp量子点有序生长机制的研究[J]. 光子学报, 2000, 29(11): 1021-1023 |
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| 作者姓名： | 殷景志 王新强 杜国同 杨树人 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子工程系,长春,130023 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，69976012， |
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| 摘 要： | 本文对张应变GaAs层引入使InAs/Inp量子点有序化排列的机制进行了分析.为提高InAs/Inp自组装量子点特性提供了理论依据.
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| 关 键 词： | 自组装量子点 有序生长 张应变GaAs层 |
| 收稿时间： | 2000-03-08 |
THE MECHANISM OF ORDERING GROWTH InAs/InP QUANTUM DOTS BY INTRODUCING TENSILE STRAINED GaAs LAYER |
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| Yin Jingzhi,Wang Xinqiang,Du Guotong,Yang Shuren. THE MECHANISM OF ORDERING GROWTH InAs/InP QUANTUM DOTS BY INTRODUCING TENSILE STRAINED GaAs LAYER[J]. Acta Photonica Sinica, 2000, 29(11): 1021-1023 |
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| Authors: | Yin Jingzhi Wang Xinqiang Du Guotong Yang Shuren |
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| Affiliation: | Department of Electronic Engineering, Jilin University, Changchun 130023 |
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| Abstract: | In this paper it is analysed mechanism that tensile strain may control the site of quantum dots.This provides a foundation for us in obtaining order InAs/InP self assembled quantum dots. |
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| Keywords: | Self assembled quantum dots Ordering growth Tensile strained GaAs la4 |
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