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“一锅法”制备氨基官能化介孔二氧化硅用于吸附As(V)EI北大核心CSCD
引用本文:霍凯旋武梦陈诗婷阴凤琴徐斐吴秀秀郝丽玲于劲松孙晓韵蔡乐.“一锅法”制备氨基官能化介孔二氧化硅用于吸附As(V)EI北大核心CSCD[J].分析试验室,2022(9):1025-1028.
作者姓名:霍凯旋武梦陈诗婷阴凤琴徐斐吴秀秀郝丽玲于劲松孙晓韵蔡乐
作者单位:1.上海理工大学健康科学与工程学院200093;
基金项目:国家自然科学基金(31671934);上海市科委上海市2020年度“科技创新行动计划”农业科技领域项目(20392001600);中国食品科学技术学会食品科学基金-雅培食品营养与安全专项科研基金(2020-04)资助。
摘    要:采用3-2-(2-氨基乙基氨基)乙基氨基]丙基-三甲氧基硅烷(AAAPTS)为单体,通过“一锅法”制备了一种氨基官能化介孔二氧化硅吸附材料用于吸附As(V)。通过傅立叶红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和氮气吸附-脱附分析对材料进行表征,并对吸附条件进行优化。结果表明,氨基官能化介孔二氧化硅在吸附环境为pH 3,温度25℃,吸附时间30 min时达到最佳吸附效果,其饱和吸附量为93.74 mg/g。动力学吸附、等温吸附实验结果表明,合成的材料符合伪二阶动力学模型且属于单层吸附的化学结合过程。本研究为去除环境水样品中的As(V)提供了潜在吸附材料。

关 键 词:氨基官能化  介孔二氧化硅  吸附剂  As(V)
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