| 多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究 |
| |
| 引用本文： | 靳瑞敏,蔡志端,苍利民,阎韬,徐建军,栗书增.多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究[J].人工晶体学报,2013,42(2):278-281. |
| |
| 作者姓名： | 靳瑞敏 蔡志端 苍利民 阎韬 徐建军 栗书增 |
| |
| 作者单位： | 南阳理工学院太阳能电池研究所,南阳473004;安彩高科股份有限公司博士后工作站,安阳455000;郑州大学物理工程学院,郑州450052;安彩高科股份有限公司博士后工作站,安阳,455000 |
| |
| 摘 要： | 本文用PECVD法在石英玻璃上沉积非晶硅薄膜,然后用快速光退火和传统电阻炉退火方法晶化生长多晶硅薄膜,用拉曼光谱仪、XRD和场发射扫描电镜观察分析薄膜,发现在制备的多晶硅薄膜表面存在结晶团现象,并对这一现象的晶化机理进行了分析.
|
| 关 键 词： | 非晶硅薄膜 二次晶化 多晶硅薄膜 结晶团现象 晶化机理 |
Research on the Formation Mechanism of Crystal Group in Fabricating Poly-Si Thin Film |
| |
| JIN Rui-min,CAI Zhi-duan,CANG Li-min,YAN Tao,XU Jian-jun,LI Shu-zeng.Research on the Formation Mechanism of Crystal Group in Fabricating Poly-Si Thin Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(2):278-281. |
| |
| Authors: | JIN Rui-min CAI Zhi-duan CANG Li-min YAN Tao XU Jian-jun LI Shu-zeng |
| |
| Institution: | 1.Institute of Solar Cell,Nanyang Institute of Technology,Nanyang 473004,China;2.Postdoctoral Workstation,Ancai Hi-Tech Co.,Ltd., Anyang 455000,China;3.School of Physics Engineering,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
