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制造工艺低相关的AGC跨阻放大器
引用本文:蒋湘,邹雪城,杜明鲜,余国义,付先成.制造工艺低相关的AGC跨阻放大器[J].光通信研究,2006,32(2):65-67.
作者姓名:蒋湘  邹雪城  杜明鲜  余国义  付先成
作者单位:1. 华中科技大学,湖北,武汉,430074;烽火通信科技股份有限公司,湖北,武汉,430074
2. 华中科技大学,湖北,武汉,430074
3. 烽火通信科技股份有限公司,湖北,武汉,430074
摘    要:文章提出了一种速率为622 Mbit/s的带自动增益控制(AGC)和自动偏移补偿(AOC)的光通信用跨阻集成放大器电路.本设计采用了中芯国际0.25 μm 1P3M的标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺.HSPICE仿真结果表明,在各种偏差最大的工艺条件下,跨阻放大器初始增益的浮动区间为-10.2%~9.7%,而AGC的初始偏置电压的浮动区间为-0.384%~0.307%.

关 键 词:模拟电路  跨阻放大器  光通信  互补金属氧化物半导体
文章编号:1005-8788(2006)02-0065-03
收稿时间:2005-08-30
修稿时间:2005年8月30日

Less-process-dependent AGC transimpedance amplifier
JIANG Xiang,ZOU Xue-cheng,DU Ming-xian,YU Guo-yi,FU Xian-cheng.Less-process-dependent AGC transimpedance amplifier[J].Study on Optical Communications,2006,32(2):65-67.
Authors:JIANG Xiang  ZOU Xue-cheng  DU Ming-xian  YU Guo-yi  FU Xian-cheng
Institution:1. Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China; 2. FibreHome Telecommunication Technologies Co. , Ltd. , Wuhan 430074, China
Abstract:A 622 Mbit/s TIA integrated circuit with AGC and AOC for optical communications is proposed. SMIC 0.25 μm 1P3M CMOS process is applied in the design. HSPICE simulation shows that in all the worst cases, the floating region of TIA initial gain is between -10.2% and 9.7%, and the floating region of initial AGC bias voltage between -0.384% and 0.307%.
Keywords:analog circuit  transimpedance amplifier  optical communication  CMOS
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