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ZnO薄膜和薄膜声表面波器件
引用本文:何启光.ZnO薄膜和薄膜声表面波器件[J].声学学报,1981(6).
作者姓名:何启光
摘    要:由Solie和Kino等人提出的薄膜SAW器件,实际上是一种包括覆盖在非压电基片上的压电薄膜在内的层状结构。适当选择压电薄膜和基片材料,可实现强压电耦合和高温度稳定性,氧化锌(ZnO)薄膜由于它有较高的机电耦合系数(K:(?)0.28)、较好的温度稳定性以

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