| ZnTeCu薄膜的制备及其性能 |
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| 引用本文： | 郑家贵,张静全,蔡伟,黎兵,蔡亚平,冯良桓.ZnTeCu薄膜的制备及其性能[J].半导体学报,2001,22(2):171-176. |
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| 作者姓名： | 郑家贵 张静全 蔡伟 黎兵 蔡亚平 冯良桓 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系，成都610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No．5672036)． |
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| 摘 要： | 用共蒸发法在室温下沉积了 Zn Te∶ Cu多晶薄膜 .刚沉积的不掺 Cu的薄膜呈立方相 ,适度掺 Cu时为立方相和六方相的混合相 .随着 Cu含量的增加 ,六方相增加 ,光能隙减小 .根据暗电导温度关系 ,结合 XRD和 DSC的结果 ,认为在 110℃、170℃开始出现类 Cu Te、类 Cu2 Te相以及 Cu0、Cu+离解的结果导致电导温度关系异常 ,应用这种薄膜作为背接触层获得了转换效率为 11.6 % ,面积为 0 .5 2 cm2 的 Cd S/Cd Te/Zn Te∶ Cu太阳电池
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| 关 键 词： | ZnTe∶Cu薄膜 制备 测试 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)02-0171-06 |
| 修稿时间： | 2000年2月12日 |
Fabrication of ZnTe |
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| ZHENG Jia-gui.Fabrication of ZnTe[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(2):171-176. |
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| Authors: | ZHENG Jia-gui |
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| Keywords: | |
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