|
|||||
|
|
| 二次退火制备Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点 | |
| 引用本文： | 肖虎,孟宪权,朱振华,金鹏,刘峰奇,王占国.二次退火制备Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点[J].人工晶体学报,2010,39(3). |
| 作者姓名： | 肖虎 孟宪权 朱振华 金鹏 刘峰奇 王占国 |
| 作者单位： | 1. 武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072 2. 武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083 3. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室开放课题 |
| 摘 要： | 利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210keV,150keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140keV,220keV,注入剂量分别为8.2×1016cm-2,6.2×1016cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料。用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火。 |
| 关 键 词： | 二次退火 量子点 离子注入 |
Twice Annealing to Fabricate Quantum Dots of III-V Semiconductors |
|
| XIAO Hu,MENG Xian-quan,ZHU Zhen-hua,JIN Peng,LIU Feng-qi,WANG Zhan-guo.Twice Annealing to Fabricate Quantum Dots of III-V Semiconductors[J].Journal of Synthetic Crystals,2010,39(3). | |
| Authors: | XIAO Hu MENG Xian-quan ZHU Zhen-hua JIN Peng LIU Feng-qi WANG Zhan-guo |
| Institution: | XIAO Hu1,MENG Xian-quan1,2,ZHU Zhen-hua1,JIN Peng2,LIU Feng-qi2,WANG Zhan-guo2(1.School of Physics , Technology,Wuhan University,Wuhan 430072,China) (2.Key Laboratory of Semiconductor Materials,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | twice annealing quantum dots ion implantation |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |