| 用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管 |
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| 引用本文： | 刘学锋,李晋闽,孔梅影,黄大定,李建平,林兰英. 用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管[J]. 半导体学报, 2000, 21(2): 142-145 |
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| 作者姓名： | 刘学锋 李晋闽 孔梅影 黄大定 李建平 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所北方微电子基地!北京100083(刘学锋，李晋闽，孔梅影，黄大定，李建平)，中国科学院半导 (林兰英) |
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| 摘 要： | 用气态源分子束外延法制备了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉｎｐｎ异质结双极晶体管．晶体管基区Ｇｅ组分为０．１２，Ｂ掺杂浓度为１．５e１９ｃｍ－３，ＳｉＧｅ合金厚度约４５ｎｍ．直流特性测试表明，共发射极直流放大倍数约５０，击穿电压ＶＣＥ约９Ｖ；射频特性测试结果表明，晶体管的截止频率为７ＧＨｚ，最高振荡频率为２．５ＧＨｚ．
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| 关 键 词： | 气源分子束外延 异质结双极晶体管 硅锗合金 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)02-0142-04 |
| 修稿时间： | 1999-03-16 |
Growth of Si/SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistors by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy |
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| LIU Xue|feng,LI Jin|min,KONG Mei|ying,HUANG Da|ding,LI Jian|ping and LIN Lan|ying. Growth of Si/SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistors by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(2): 142-145 |
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| Authors: | LIU Xue|feng LI Jin|min KONG Mei|ying HUANG Da|ding LI Jian|ping LIN Lan|ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GSMBE HBT SiGe Alloy |
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