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用于闪光照相的1MV Rod-Pinch二极管辐射特性
引用本文:陈林,周良骥,任靖,李晔,吴守东,谢卫平,李成刚,计策,邓建军.用于闪光照相的1MV Rod-Pinch二极管辐射特性[J].中国物理C(英文版),2008,32(Z1).
作者姓名:陈林  周良骥  任靖  李晔  吴守东  谢卫平  李成刚  计策  邓建军
基金项目:中国物理研究院科研项目
摘    要:Rod-Pinch二极管(RPD)在小尺度闪光照相方面具有良好的应用前景.根据理论方面的研究结果以及实验室具备的驱动源装置水平,设计了相应结构的RPD,并在1MV工作电压下开展了较为详细的性能实验研究.最终在二极管轴向(0.方向)lm处得到的x光剂量为1.21rad-1.45rad.对于阳极直径为lmm的二极管,其X光焦斑直径仅为0.8mm-1.1mm.X光信号的脉宽为18.1ns-27.5ns.研究表明RPD将是一种用于小尺度闪光照相的理想的X光源.

关 键 词:RPD  闪光照相  X光剂量  焦斑直径  阻抗  闪光照相  二极管  辐射特性  Source  Radiography  Diode  光源  脉宽  光信号  焦斑直径  阳极直径  光剂量  方向  轴向  性能实验  工作电压  结构  设计  水平  装置

Characterization of the Rod-Pinch Diode at 1MV as a Radiography Source
CHEN Lin,ZHOU Liang-Ji,REN Jing,LI Ye,WU Shou-Dong,XIE Wei-Ping,LI Cheng-Gang,JI Ce,DENG Jian-Jun.Characterization of the Rod-Pinch Diode at 1MV as a Radiography Source[J].Chinese Physics C,2008,32(Z1).
Authors:CHEN Lin  ZHOU Liang-Ji  REN Jing  LI Ye  WU Shou-Dong  XIE Wei-Ping  LI Cheng-Gang  JI Ce  DENG Jian-Jun
Abstract:
Keywords:
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