高纯钼中痕量杂质元素的光谱分析 |
| |
作者姓名: | 蒋福生 林华煦 |
| |
作者单位: | 株洲硬质合金厂研究所(蒋福生),株洲硬质合金厂研究所(林华煦) |
| |
摘 要: | 使用国产仪器、设备及材料,对钼中痕量杂质元素的光谱分析中各主要条件进行了试验与研究。确定直流电弧阳极激发,一次同时测定钠、镁、铝、铁、钴、镍、锰、铜、钛、钒、铬、硅、铅、铋、锡、锑、镉十七个杂质元素。测定下限为0.1~3ppm,测定下限总量为17.3ppm,单次测定标准偏差4.5~20%。实验部分1.仪器设备、材料及试剂光谱仪—WPG-100型平面光栅摄谱仪,一级光谱倒数线色散为8埃/毫米。光源—半导体硅整流设备GZH5-18型。电极—光谱纯石墨电极φ6毫米。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|