首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

具有高阻抗本征SnO2过渡层的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池
引用本文:曾广根,郑家贵,黎兵,雷智,武莉莉,蔡亚平,李卫,张静全,蔡伟,冯良桓.具有高阻抗本征SnO2过渡层的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池[J].物理学报,2006,55(9).
作者姓名:曾广根  郑家贵  黎兵  雷智  武莉莉  蔡亚平  李卫  张静全  蔡伟  冯良桓
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划);高等学校博士学科点专项科研项目
摘    要:采用超声喷雾热解法制备了具有高阻抗的本征SnO2透明导电膜,将其运用在CdS层减薄了的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池中,对减薄后的CdS薄膜进行了XRD,AFM图谱分析,并对电池进行了光、暗I-V,光谱响应和C-V测试.结果表明,在高阻膜上沉积的减薄CdS薄膜(111)取向更明显,但易形成微孔.引入高阻层后,能消除CdS微孔形成的微小漏电通道,有效保护p-n结,改善了电池的并联电阻、填充因子和短波响应,使载流子浓度增加,暗饱和电流密度减小,从而电池性能得到改善,电池转换效率增加了14.4%.

关 键 词:CdTe电池  过渡层  效率

Polycrystalline CdS/CdTe thin-film Solar cells with intrinsic SnO2 films of high resistance
Zeng Guang-Gen,Zheng Jia-Gui,Li Bing,Lei Zhi,Wu Li-Li,Cai Ya-Ping,Li Wei,Zhang Jing-Quan,Cai Wei,Feng Liang-Huan.Polycrystalline CdS/CdTe thin-film Solar cells with intrinsic SnO2 films of high resistance[J].Acta Physica Sinica,2006,55(9).
Authors:Zeng Guang-Gen  Zheng Jia-Gui  Li Bing  Lei Zhi  Wu Li-Li  Cai Ya-Ping  Li Wei  Zhang Jing-Quan  Cai Wei  Feng Liang-Huan
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号