| 空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响 |
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| 引用本文： | 赵有文,吕小红,董志远,段满龙,孙文荣.空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响[J].半导体学报,2007,28(Z1):175-178. |
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| 作者姓名： | 赵有文 吕小红 董志远 段满龙 孙文荣 |
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| 作者单位： | 赵有文（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;吕小红（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;董志远（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;段满龙（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;孙文荣（中国科学院半导体研究所,北京,100083） |
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| 摘 要： | 利用电学测试、正电子寿命谱和X射线衍射技术研究了原生和退火处理后InP单晶的空位和填隙缺陷.在原生掺铁半绝缘InP单晶中含有空位缺陷,这些空位产生深能级电学补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制备的半绝缘材料,空位被充分抑制,却含有一定浓度填隙缺陷.根据实验结果分析了填隙和空位缺陷对掺铁半绝缘InP单晶材料电学性质和热稳定性的影响.
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| 关 键 词： | 磷化铟 半绝缘 空位 填隙 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0175-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月30 |
Influence of Vacancy and Interstitial on Material Property of Semi-Insulating InP Single Crystal |
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