| (InAs)1/(GaSb)1超晶格纳米线第一原理研究 |
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| 引用本文： | 孙伟峰,郑晓霞.(InAs)1/(GaSb)1超晶格纳米线第一原理研究[J].物理学报,2012,61(11):117103-117103. |
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| 作者姓名： | 孙伟峰 郑晓霞 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨理工大学电气与电子工程学院、工程电介质及其应用教育部重点实验室、黑龙江省电介质工程重点实验室,哈尔滨,150080
2. 黑龙江工程学院计算机科学与技术系,哈尔滨,150050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:50502014,50972032);国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03Z407)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 半导体纳米线作为纳米器件的作用区和连接部分具有理想的形状, 把电子运动和原子周期性限制在一维结构当中.通过体材料的已知特性, 有效地选择材料组分使纳米线的低维结构优点更加突出.此外, 还可以通过其他方式来调整纳米线特性, 如控制纳米线直径、晶体学生长方向、结构相、表面晶体学晶面和饱和 度等内部或固有的特性;施加电场、磁场、热场和力场等外部影响. 体材料InAs和GaSb的晶格常数非常相近, 因此InAs/GaSb异质结构晶格失配很小, 可生长成为优良的红外光电子材料.另外, 体材料InAs在二元III---V化合物半导体中具有最低的有效质量, 这使得电子限制在InAs层的InAs/GaSb超晶格具有良好的输运特性. 本文通过第一原理计算研究轴线沿001]和111]闪锌矿晶体学方向的 (InAs)1/(GaSb)1超晶格纳米线(下标表示分子或双原子单层的数量) 的结构、电子和力学特性, 以及它们随纳米线直径(线径约为0.5---2.0 nm)的变化规律.另外, 分析了外部施加的应力对电子特性的影响, 考察了不同线径(InAs)1/(GaSb)1超晶格纳米线的电子带边能级随轴向应变的变化, 从而确定超晶格电子能带的带边变形势.
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| 关 键 词： | 第一原理 InAs/GaSb超晶格 半导体纳米线 能带结构 |
| 收稿时间： | 2011-09-13 |
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