摘 要: | 以二氧化硅修饰的四氧化三铁为载体,灭草隆为模板分子,采用表面印迹技术制备了核-壳结构的磁性灭草隆分子印迹聚合物(Fe3O4@SiO2-MIPs)。采用扫描电镜(SEM)和磁强计(VSM)对产物的结构进行了表征。通过静态平衡结合法研究了磁性分子印迹聚合物的吸附能力、选择性。结果表明,与磁性非分子印迹聚合物相比,磁性分子印迹聚合物对灭草隆具有高选择性和高特异性吸附,最大吸附量80μmol g-1;Scatchard分析表明,印迹聚合物存在两类不同的吸附结合位点,Langmuir模型可以很好拟合吸附等温线,其相关系数R2=0.9989。
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