| 基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法 |
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| 引用本文： | 桂立,尹韶云,蔡文涛,孙秀辉,杜春雷,丁学专.基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法[J].光子学报,2017,46(1). |
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| 作者姓名： | 桂立 尹韶云 蔡文涛 孙秀辉 杜春雷 丁学专 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 集成光电技术研究中心, 重庆 400714;中国科学院上海技术物理研究所 红外探测与成像技术重点实验室, 上海 200083;2. 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 集成光电技术研究中心,重庆,400714;3. 中国科学院上海技术物理研究所 红外探测与成像技术重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(No.2014AA123202)资助 The National Natural Science Foundation of China，the National High Technology Research and Development Program of China |
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| 摘 要： | 基于精确的LED光源近场模型,提出了一种LED光学扩展量测量方法.通过追迹LED近场光源模型中的光线数据,可获得LED光功率关于光学扩展量的关系曲线,直观反映出LED光源的光学扩展量特性和光能利用率等信息.以紫外曝光系统中的UV-LED阵列面光源为例,对三款不同型号的UV-LED进行了实际测量.通过测量得到的光学扩展量和光能利用率曲线,可以对UV-LED的光束质量作出判断,并为阵列面光源的优化设计提供帮助.
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| 关 键 词： | 非成像光学 光学扩展量 光源近场 发光二极管 光学设计 |
Measurement Method of LED Etendue Based on Near-field Source Model |
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| Abstract: | A method for measuring the étendue of LED was proposed based on the near-field model of the LED source.The curve of luminous power on étendue can be obtained by tracing rays data in LED near-field moled, which can directly reflect the étendue characteristics and the energy efficieny of LED source.Taking the UV-LED array surface source in the exposure system as an example, the actual measurement of the three different models of UV-LED were carried out.The designer can make a judgment on the UV-LED beam quality by the étendue and energy efficiency curve, which can provide help for the optimization design of the UV-LED array surface source. |
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| Keywords: | Non-imaging optics Etendue Light source near-field Light-emitting diode Optical design |
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