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| 利用选择性外延法生长单芯片双波长白光InGaN/GaN多量子阱结构 | |
| 作者姓名： | 王福学 叶烜超 |
| 作者单位： | 1.无锡职业技术学院 汽车与交通学院,江苏,无锡,214121 |
| 基金项目： | 江苏省自然科学基金青年基金(No.BK20150158)资助 The National Natural Science Foundation of Jiangsu Province |
| 摘 要： | 为了制备单芯片无荧光粉白光InGaN/GaN多量子阱发光结构,利用选择性外延生长法在SiO |
| 关 键 词： | 白光 发光二极管 选择性外延 GaN微面 多量子阱 |
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