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| ZnS／ZnSe多量子阱研制 | |
| 引用本文： | 刘大力,杜国同,何晓东,王一丁,王金忠.ZnS／ZnSe多量子阱研制[J].光子学报,2002,31(Z2):197-200. |
| 作者姓名： | 刘大力 杜国同 何晓东 王一丁 王金忠 |
| 作者单位： | [1]吉林大学集成光电子国家重点联合实验室，长春130012 [2]吉林大学通信工程学院，长春130012 |
| 摘 要： | 采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP-MOCVD系统，以电子级二甲基锌（DMZn）和电子级10%稀释在H2中的H2Se和H2S为原材料，二次钯管净化的氢气为载气，衬底选用（100）GaAs和（111）CaF2，以微机程序控制电气线路的开关，交替生长ZnS和ZnSe薄层，制备出了垒宽和阱宽都为10nm，周期为100的ZnS—ZnSe超晶格多量子阱结构。 |
| 关 键 词： | ZnS／ZnSe多量子阱 AP－MOCVD系统 垒宽 阱宽 超晶格 半导体材料 硫化锌 硒化锌 金属有机化学气相外延 薄膜生长 |
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