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工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响
引用本文:任丙彦,刘晓平,李彦林,王敏花,羊建坤,许颖. 工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(4): 798-801
作者姓名:任丙彦  刘晓平  李彦林  王敏花  羊建坤  许颖
作者单位:河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300310;河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300310;北京太阳能研究所,北京,100083;北京太阳能研究所,北京,100083
摘    要:工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45~1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04 ×10-4 Ω·cm、可见光波段(400~800 nm)透过率为91.9;,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.

关 键 词:磁控溅射  ITO薄膜  溅射气压  低温
文章编号:1000-985X(2007)04-0798-04
修稿时间:2007-02-08

Effects of Sputtering Pressure on the Properties of Indium Tin Oxide
REN Bing-yan,LIU Xiao-ping,LI Yan-lin,WANG Min-hua,YANG Jian-kun,XU Ying. Effects of Sputtering Pressure on the Properties of Indium Tin Oxide[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(4): 798-801
Authors:REN Bing-yan  LIU Xiao-ping  LI Yan-lin  WANG Min-hua  YANG Jian-kun  XU Ying
Affiliation:1. School of Material Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China; 2. Beijing Solar Energy Research Institute, Beijing 100083, China
Abstract:
Keywords:magnetron sputtering  ITO thin films  sputtering pressure  low temperature
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