| PECVDSiO_2和SiON薄膜的工艺优化及其应用 |
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| 引用本文： | 周均.PECVDSiO_2和SiON薄膜的工艺优化及其应用[J].微电子学,1995(5). |
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| 作者姓名： | 周均 |
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| 作者单位： | 电子工业部第２４研究所 |
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| 摘 要： | 在等离子激发条件下，进行了ＳｉＯ＿２，和ＳｉＯＮ介质薄膜生长实验，研究了沉积参数射频功率、反应压力、反应气体流量比及总流量、反应温度对沉积薄膜的生长速率、均匀性和折射率的影响，并优化了工艺条件，得到了生长速率为１５０ｎｍ／ｍｉｎ、均匀性为±０．４４％、折射率ｎ为１．４６３±０．００２的ＳｉＯ＿２和生长速率为１１７ｎｍ／ｍｉｎ、均匀性为±３．０％、折射率ｎ为１．５０６±０．００４的ＳｉＯＮ介质薄膜。还介绍了这两种介质薄膜的应用。
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| 关 键 词： | PECVD，SiO＿2薄膜，SiON薄膜 |
Optimization of Plasma Enhanced Chemical Vapor DeposItion of SiO_2 and SiON Films and Their Applications |
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| zhou Jun.Optimization of Plasma Enhanced Chemical Vapor DeposItion of SiO_2 and SiON Films and Their Applications[J].Microelectronics,1995(5). |
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| Authors: | zhou Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PECVD SiO_2 film SiON film |
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