| 热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性 |
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| 引用本文： | 汪六九,朱美芳,刘丰珍,刘金龙,韩一琴. 热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性[J]. 物理学报, 2003, 52(11): 2934-2938 |
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| 作者姓名： | 汪六九 朱美芳 刘丰珍 刘金龙 韩一琴 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院研究生院物理系，北京 100039; (2)中国科学院研究生院物理系，北京 100039 ;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目(批准号：G2000028208)资助的课题. |
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| 摘 要： | 以金属W和Ta为热丝，采用热丝化学气相沉积 ，在250℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响，在优化条件下获得晶态比Xc＞90%，暗电导率σd=10-7—10-6Ω -1cm-1，激活能Ea=0.5eV，光能隙Eopt≤1.3 eV的多晶硅薄膜.关键词：多晶硅薄膜热丝化学气相沉积光电特性
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| 关 键 词： | 多晶硅薄膜 热丝化学气相沉积 光电特性 |
| 文章编号： | 1000-3290/2003/52(11)/2934-05 |
| 收稿时间： | 2003-01-21 |
| 修稿时间： | 2003-01-21 |
Structual and optoelectronic properties of polycrystalline silicon thin films p repared by hot-wire chemical vapor deposition at low temperatures |
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| Wang Liu-Jiu )) Zhu Mei-Fang ) Liu Feng-Zhen ) Liu Jin-Long ) Han Yi-Qin ) ). Structual and optoelectronic properties of polycrystalline silicon thin films p repared by hot-wire chemical vapor deposition at low temperatures[J]. Acta Physica Sinica, 2003, 52(11): 2934-2938 |
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| Authors: | Wang Liu-Jiu )) Zhu Mei-Fang ) Liu Feng-Zhen ) Liu Jin-Long ) Han Yi-Qin ) ) |
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| Affiliation: | Wang Liu-Jiu 1)2) Zhu Mei-Fang 1) Liu Feng-Zhen 1) Liu Jin-Long 1) Han Yi-Qin 1) 1) |
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| Abstract: | Polycrystalline silicon thin films were prepared by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) on glass at 250℃，with W or Ta wire as the catalyzers. The structual and optoelectronic properties as functions of the filament temperature, deposition pressure and the filament-substrate distance were studied，and the optimized polycrystalline silicon thin films were obtained with Xc>90% (Xc denotes the crystalline ratio of the film), crystal grain size ab out 30—40nm, Rd≈0.8nm/s, σd about 10-7—10-6 Ω-1cm-1,Ea≈0.5eV and Eopt≤1.3eV. |
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| Keywords: | polycrystalline silicon hot-wire CVD optoelectronic properties |
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