| GaAs极化电子源实验研究 |
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| 引用本文： | 阮存军. GaAs极化电子源实验研究[J]. 物理实验, 2004, 24(1): 12-15 |
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| 作者姓名： | 阮存军 |
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| 作者单位： | 清华大学,物理系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :10 0 74 0 37) |
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| 摘 要： | 对GaAs极化电子源中GaAs晶片的激活过程进行了实验研究，着重采用2种不同的激活过程摸索了实验过程中的相关物理参量，以达到最佳的激活状态，并获得了一些有意义的实验结果.
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| 关 键 词： | 砷化镓晶体 极化电子束 激活过程 半导体材料 带隙宽度 直接能隙材料 |
| 文章编号： | 1005-4642(2004)01-0012-04 |
| 修稿时间： | 2003-06-04 |
Experimental study on GaAs spin-polarized electron source |
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| RUAN Cun-jun. Experimental study on GaAs spin-polarized electron source[J]. Physics Experimentation, 2004, 24(1): 12-15 |
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| Authors: | RUAN Cun-jun |
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| Abstract: | The activation process of GaAs spin-polarized electron source is investigated experimentally, and two different kinds of activation methods are used to achieve the important physical parameters and optimum activation result. Some significant experimental data are concluded. |
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| Keywords: | GaAs crystal activation process spin-polarized electron beam |
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