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| 正电子湮没技术对YAG/Nd晶体缺陷的研究 | |
| 引用本文： | 刘尚进,周上祺,唐思进,郁伟中,曹必松,常伟,李存英.正电子湮没技术对YAG/Nd晶体缺陷的研究[J].重庆大学学报(自然科学版),1985,8(2). |
| 作者姓名： | 刘尚进 周上祺 唐思进 郁伟中 曹必松 常伟 李存英 |
| 作者单位： | 重庆大学 (刘尚进，周上祺，唐思进)，清华大学 (郁伟中，曹必松)，208厂 (常伟)，208厂(李存英) |
| 摘 要： | 用正电子湮没技术对YAG/Nd晶体不同位置进行了探测。实验结果表明,YAG/Nd晶体的不均匀性、缺陷的分布以及退火处理后晶体缺陷减少的情况与正电子寿命,多普勒增宽线形参数有对应关系。紫外光谱分析说明,YAG/Nd晶体中缺陷捕获态主要与色心有关。 |
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