| 使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究 |
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| 引用本文： | 秦琦,于乃森,郭丽伟,汪洋,朱学亮,陈弘,周均铭. 使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究[J]. 物理学报, 2005, 54(11) |
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| 作者姓名： | 秦琦 于乃森 郭丽伟 汪洋 朱学亮 陈弘 周均铭 |
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| 摘 要： | 采用低压MOCVD系统,在生长过程中使用SiNx原位淀积的方法产生纳米掩模,并在纳米掩模上进行选区生长和侧向外延制备了GaN外延薄膜.使用拉曼光谱和光荧光的手段对GaN外延膜中的残余应力进行了研究.研究发现,用SiNx原位淀积出纳米掩模后,GaN生长将由二维向三维转变,直到完全合并为止.利用拉曼光谱和光荧光谱分别研究了薄膜中的残余应力,两者符合得很好;这种方法生长出的GaN薄膜的应力分布较传统的侧向外延更加均匀;并且从中发现随着生长过程中SiNx原位淀积时间的增加,生长在其上的GaN外延膜中的残余应力减小.这是因为,随着SiNx原位淀积时间的增加,SiNx纳米掩模的覆盖度也增大.因此侧向外延区的比例增大,残余应力随之减小.
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| 关 键 词： | GaN SiNx原位淀积 拉曼 光荧光 残余应力 |
Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition |
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| Qin Qi,Yu Nai-Sen,Guo Li-Wei,Wang Yang,Zhu Xue-Liang,Chen Hong,Zhou Jun-Ming. Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition[J]. Acta Physica Sinica, 2005, 54(11) |
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| Authors: | Qin Qi Yu Nai-Sen Guo Li-Wei Wang Yang Zhu Xue-Liang Chen Hong Zhou Jun-Ming |
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