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助熔剂法和浮区法生长Nd_(2-x)Ce_xCuO_4单晶及其热传导研究北大核心CSCD
引用本文:倪波赵志颖吴佳川孙学峰.助熔剂法和浮区法生长Nd_(2-x)Ce_xCuO_4单晶及其热传导研究北大核心CSCD[J].低温物理学报,2013(6):406-412.
作者姓名:倪波赵志颖吴佳川孙学峰
作者单位:1.中国科学技术大学230026;
摘    要:本文研究了用助熔剂法和浮区法两种方法生长Nd2-x Cex CuO4(NCCO)单晶的生长条件和NCCO单晶的热传导性质.用助熔剂法方法可以生长出组份为x=0至x=0.18的一系列单晶样品.用X射线衍射表征了单晶的结构和品质,并观测了不同的退火过程对样品的超导转变的影响.在浮区法方面,生长NCCO(x=0.15)单晶也取得了很好的结果.另外,本文还测量了不同组份的单晶样品的低温热导率,发现Nd3+离子磁性对热导率的影响以及掺杂Ce后热导率的变化情况.

关 键 词:高温超导体  单晶生长  热导率
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