| 器件结构对Al0.3Ga0.7N Schottky探测器性能的影响 |
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| 引用本文： | 陈江峰,杨莉,何政.器件结构对Al0.3Ga0.7N Schottky探测器性能的影响[J].半导体光电,2008,29(1):23-25. |
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| 作者姓名： | 陈江峰 杨莉 何政 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,微电子学院,上海,200240;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
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| 摘 要： | 在利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al0.3Ga0.7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器.I-V和光谱响应测试结果表明:台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流,它们的势垒高度分别为0.71 eV和0.90 eV,理想因子分别为1.12和1.02;峰值响应率分别为0.07 A/W和0.005 A/W,台面结构器件的响应光谱曲线在响应波段比较平坦,而平面结构器件的光谱响应是一条随着波长的减小而降低的曲线.这些现象可能主要是由于台面结构的欧姆接触电阻及串联电阻相对较小和离子束刻蚀对台面结构所带来的损伤所致.
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| 关 键 词： | 器件结构 肖特基探测器 铝镓氮 |
| 文章编号： | 1001-5868(2008)01-0023-03 |
| 修稿时间： | 2007年4月30日 |
Effects of Structure on Performances of Al0.3Ga0.7N Schottky Ultraviolet Detectors |
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| CHEN Jiang-feng,YANG Li,HE Zheng.Effects of Structure on Performances of Al0.3Ga0.7N Schottky Ultraviolet Detectors[J].Semiconductor Optoelectronics,2008,29(1):23-25. |
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| Authors: | CHEN Jiang-feng YANG Li HE Zheng |
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