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| 铕(Ⅲ)在邻菲啰啉/Nafion薄膜修饰电极上的伏安行为 | |
| 作者姓名： | 侯建敏 俞希杰 李南强 |
| 作者单位： | 北京大学化学系，北京大学化学系，北京大学化学系 北京 100871，北京 100871，北京 100871 |
| 摘 要： | 本文研究了铕(Ⅲ)在邻菲啰啉/Nafion聚合物薄膜修饰电极上的伏安行为。在pH5.1的六次甲基四胺底液中,实验了多种因素对铕(Ⅲ)的还原电流的影响。在选定分析条件下,铕(Ⅲ)的还原峰高在1.0×10~(-7)～1.0×10~(-5)mol/L范围内有良好的线性关系。富集时间15min时,检出限可达3.0×10~(-8)mol/L。用于发光材料中铕(Ⅲ)的测定,取得满意结果。 |
| 关 键 词： | 铕 邻菲啰啉 Nafion薄膜电极 |
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