| 生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响 |
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| 引用本文： | 汪韬,李宝霞,李晓婷,赛小锋,高鸿楷.生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响[J].光子学报,2002,31(12):1479-1482. |
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| 作者姓名： | 汪韬 李宝霞 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 |
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| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (698760 45 ) |
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| 摘 要： | 采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X射线衍射测试分析,半峰宽为52″.讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关,而且与GaAs单晶外延生长参量有关.适当的生长速率可有效地抑制反向畴的生长.
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| 关 键 词： | 液相金属氧化物化学汽相沉积 GaAs/Ge 反向畴 |
| 收稿时间： | 2002/4/1 |
| 修稿时间： | 2002年4月1日 |
THE EFFECT OF GROWTH RATE ON LP-MOCVD GaAs/Ge HETEROSTRUCTRUES |
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| Wang Tao,Li Baoxia,Li Xiaoting,Sai Xiaofeng,Gao Hongkai.THE EFFECT OF GROWTH RATE ON LP-MOCVD GaAs/Ge HETEROSTRUCTRUES[J].Acta Photonica Sinica,2002,31(12):1479-1482. |
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| Authors: | Wang Tao Li Baoxia Li Xiaoting Sai Xiaofeng Gao Hongkai |
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| Institution: | Xi’an Institute of Optics and Precision Mechanism, the Chinese Academy of Science, Xi’an 710068 |
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| Abstract: | GaAs/Ge heterostructrue has been obtained on a home made low pressure MOCVD system.The crystal quality of the GaAs epi layer was studied by the double rystal X ray diffractometer.The morphology was studied,too.Results indicate that only proper growth rate for the GaAs epi layer will give anti phase domain free and better morphology GaAs epi layer on Ge substrate miscut 9 degrees towards the (110). |
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| Keywords: | LP MOCVD GaAs/Ge anti phase domain |
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