| Lu2Si2O7∶Ce晶体的闪烁性能 |
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| 引用本文： | 李焕英,秦来顺,姚冬敏,陆晟,任国浩. Lu2Si2O7∶Ce晶体的闪烁性能[J]. 发光学报, 2006, 27(5): 729-734 |
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| 作者姓名： | 李焕英 秦来顺 姚冬敏 陆晟 任国浩 |
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| 作者单位： | 中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 用提拉法生长了Lu2Si2O7∶Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7∶Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5∶Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8～34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。
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| 关 键 词： | 闪烁性能 LPS∶Ce晶体 透射光谱 衰减特性 |
| 文章编号： | 1000-7032(2006)05-0729-06 |
| 修稿时间： | 2005-11-12 |
Scintillation Properties of Lu2Si2O7:Ce Crystal |
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| LI Huan-ying,QIN Lai-shun,YAO Dong-min,LU Sheng,REN Guo-hao. Scintillation Properties of Lu2Si2O7:Ce Crystal[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2006, 27(5): 729-734 |
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| Authors: | LI Huan-ying QIN Lai-shun YAO Dong-min LU Sheng REN Guo-hao |
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