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内埋置元件基板技术的发展趋势(日本相关专利分析)
引用本文:杨邦朝,胡永达,卢云,徐蓓娜.内埋置元件基板技术的发展趋势(日本相关专利分析)[J].混合微电子技术,2009(1).
作者姓名:杨邦朝  胡永达  卢云  徐蓓娜
作者单位:电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
摘    要:本文主要是依据日本近有关电子元件内埋置基板专利,进一步分析剖析日本在内埋置基本板技术方面的发展趋势,让读者对日本在元件内埋置基板的市场与技术趋势有进一步的了解,期望能对国内元件内埋置技术的建立与开发方向有所帮助。分析专利年代范围为1992~2002年。

关 键 词:内埋置式  无源元件  电阻  电容  电感  印制电路板  陶瓷基板
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