Kondo绝缘体CeNiSn的低温物性研究 |
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作者姓名: | 范小波 曾兴林 |
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作者单位: | 中国科学院低温技术实验中心 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,国家科委的专项经费资助 |
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摘 要: | 对CeNiSn的多晶样品进行了磁化率x(1.8-20K),电阻率ρ(3-100K),Hall系数R(4.2-32K)和低温比热(1.2-30K)的测量,经X射线衍射分析,该样品为单相结构,磁化率X在较高温区(30-200K)遵循Curie-Weiss定律,并可推定出Ce离子的价态是+3价的,在30K以下磁化率X明显地偏离该定律并急剧增大,显示出明显的Kondo行为,在15K以上,ρ(T)很好地符合
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关 键 词: | CeNiSn 低温性 Kondo 绝缘体 |
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