| 透明导电薄膜ITO对浅面浮雕VCSEL的影响 |
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| 作者姓名： | 李秀山 宁永强 张星 贾鹏 秦莉 刘云 王立军 |
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| 作者单位： | 1.发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033;2.中国科学院大学 北京,100049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,吉林省科技厅项目,吉林省科技发展计划,长春市科技发展计划 |
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| 摘 要： | 对于顶面出光的浅面浮雕VCSEL结构,有源区的电流密度分布的不均性制约着单模稳定性的提高.为此,提出了一种新型结构:氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)浅面浮雕VCSEL.该结构不仅能够增大高阶模式的阈值增益,还能够提高基模的增益,实现基模对高阶模式的稳定抑制.研究了ITO的厚度对阈值增益的影响及ITO对VCSEL有源区电流密度分布的影响.研究结果表明:在ITO的厚度为半波长的整数倍时,基模对高阶模式的限制作用最强;ITO通过改善VCSEL有源区的电流密度分布,达到了增大基模的增益和降低高阶模式增益的目的,同时还降低了串联电阻和外电压.
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射半导体激光器 透明导电薄膜 浅面浮雕 单模 |
| 收稿时间： | 2015-03-07 |
| 修稿时间： | 2015-04-12 |
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