| Mg2Si化合物在静水压下的电子输运性能研究 |
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| 作者姓名： | 朱岩 张新宇 张素红 马明臻 刘日平 田宏燕 |
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| 作者单位： | 1. 燕山大学, 亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室, 秦皇岛 066004;2. 河北科技师范学院物理系, 秦皇岛 066004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 51002130, 51121061), 燕山大学优秀博士生科学基金和河北省高等学校科学技术研究项目(批准号:Z2011158) 资助的课题. |
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| 摘 要： | 本文基于第一性原理采用全电势线性缀加平面波方法和波尔兹曼理论运算了在静水压下Mg2Si的电子和热电性能. 研究发现, 对于n型载流子控制Mg2Si输运性质, 应变达到0.02时, 室温情况下, 热电性能参数得到了明显提高, 其塞贝克系数增幅为26%, 功率因数增幅47%; 高温时, 功率因数增幅45%. 而对于主要载流子为空穴时, 其热电系数最值出现在应变为0.01时. 但其数值与未施加静水压的结构相比提高不多, 表明对于p型Mg2Si半导体应变对其输运性能的影响不大. 并且结合电子能带结构图解释这些现象.
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| 关 键 词： | Mg2Si 应变 热电性能 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2014-10-07 |
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