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退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响
引用本文:张锡健,马洪磊,王卿璞,马瑾,宗福建,肖洪地,计峰. 退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响[J]. 物理学报, 2006, 55(1)
作者姓名:张锡健  马洪磊  王卿璞  马瑾  宗福建  肖洪地  计峰
基金项目:高等学校博士学科点专项科研项目
摘    要:用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.

关 键 词:MgxZn1-xO薄膜  射频磁控溅射  退火

Effect of annealing on optical properties of MgxZn1- xO thin films deposited at low temperature
Zhang Xi-Jian,Ma Hong-Lei,Wang Qing-Pu,Ma Jin,Zong Fu-Jian,Xiao Hong-Di,Ji Feng. Effect of annealing on optical properties of MgxZn1- xO thin films deposited at low temperature[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(1)
Authors:Zhang Xi-Jian  Ma Hong-Lei  Wang Qing-Pu  Ma Jin  Zong Fu-Jian  Xiao Hong-Di  Ji Feng
Abstract:
Keywords:
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