|
|||||
|
|
| 在半绝缘铟磷衬底上制作的槽状大光腔铟镓砷磷激光器 | |
| 引用本文： | 陈倜嵘,A.Yariv.在半绝缘铟磷衬底上制作的槽状大光腔铟镓砷磷激光器[J].光学学报,1984(9). |
| 作者姓名： | 陈倜嵘 A.Yariv |
| 作者单位： | 成都电讯工程学院光电子学系 (陈倜嵘)，美国加州理工学院应用物理系(A.Yariv) |
| 摘 要： | 本文报道在半绝缘铟磷(InP)衬底上制作的槽状大光腔铟镓砷磷/铟磷(InGaAsP/InP)激光器.该结构采用了衬底开槽技术,用一步液相外延工艺来完成,制作简单,重复性好.这种器件将槽状激光器的完全隐埋实折射率导波机制与大光腔结构结合起来,既保持了槽状激光器的低阈值单模运转性能,又能发挥大光腔的高输出潜力.所制成的激光器阈值电流低达25mA,单面脉冲输出功率达200mW,并可实现单模运转. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |