| 提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究 |
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| 引用本文： | 娄有信,王继扬,张怀金,李强,严清峰,马朝晖,戴媛静.提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究[J].人工晶体学报,2011,40(6):1418-1422. |
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| 作者姓名： | 娄有信 王继扬 张怀金 李强 严清峰 马朝晖 戴媛静 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;清华大学化学系,北京,100084;辽宁大学物理学院,沈阳,110036;清华大学摩擦学国家重点实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2010CB833103) |
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| 摘 要： | 采用提拉法成功制备出高纯铜(Cu)单晶,最大尺寸为φ15 mm×60 mm.采用化学机械抛光(CMP)方法对Cu单晶基片进行抛光,借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性,并探讨了抛光压力、表面活性剂和抛光垫对基片表面抛光的影响,结果表明:采用CMP加工后的铜单晶基片表面无宏观划痕、加工均匀性好,基片表面粗糙度Ra为0.921 nm.
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| 关 键 词： | 单晶铜 化学机械抛光 表面粗糙度 |
Study on Chemical Mechanical Polishing of Cu Single Crystal Wafer Prepared by Czochralski Method |
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| LOU You-xin
,
WANG Ji-yang
,
ZHANG Huai-jin
,
LI Qiang
,
YAN Qing-feng
,
MA Zhao-hui
,
DAI Yuan-jing.Study on Chemical Mechanical Polishing of Cu Single Crystal Wafer Prepared by Czochralski Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(6):1418-1422. |
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| Authors: | LOU You-xin WANG Ji-yang ZHANG Huai-jin LI Qiang YAN Qing-feng MA Zhao-hui DAI Yuan-jing |
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| Institution: | LOU You-xin1,WANG Ji-yang1,ZHANG Huai-jin1,LI Qiang2,YAN Qing-feng2,MA Zhao-hui3,DAI Yuan-jing4 (1.State Key Laboratory of Crystal Material,Shandong University,Jinan 250100,China,2.Department of Chemistry,Tsinghua University,Beijing 100084,3.School of Physics,Liaoning University,Shenyang 110036,4.State Key Laboratory of Tribology,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | copper single crystal chemical-mechanical polishing surface roughness |
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