| 溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响 |
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| 引用本文： | 王华,燕红,许积文,江民红,杨玲.溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响[J].人工晶体学报,2011,40(6). |
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| 作者姓名： | 王华 燕红 许积文 江民红 杨玲 |
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| 作者单位： | 1. 桂林电子科技大学信息材料广西重点实验室,桂林,541004
2. 郑州铁路职业技术学院公共教学部,郑州,450052 |
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| 基金项目： | 广西信息材料重点实验室主任基金(0710908-05-Z); 广西科技基础条件平台建设专项(10-046-13) |
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| 摘 要： | 以自制Mg0.2Zn0.8O∶Al陶瓷为靶材,采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mg0.2Zn0.8O∶Al紫外透明导电薄膜.研究了溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O∶Al薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:溅射氩气压强不影响薄膜的相结构,但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响；薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小后有所增大,溅射气压为2.0 Pa时,薄膜的方块电阻最低；不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外区域,而且具有85％以上的高透射率,但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响；室温下溅射制备的薄膜经真空退火处理后其导电性能显著提高,但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降.
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| 关 键 词： | Mg0.2Zn0.8O∶Al 紫外透明导电薄膜 磁控溅射 溅射压强 退火气氛 光电性能 |
Effects of Sputtering Pressure and Annealing Atmosphere on Microstructure and Properties of Mg0.2Zn0.8O∶ Al UV-transparent Conducting Thin Films |
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| WANG Hua
,
YAN Hong
,
XU Ji-wen
,
JIANG Min-hong
,
YANG Ling.Effects of Sputtering Pressure and Annealing Atmosphere on Microstructure and Properties of Mg0.2Zn0.8O∶ Al UV-transparent Conducting Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(6). |
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| Authors: | WANG Hua YAN Hong XU Ji-wen JIANG Min-hong YANG Ling |
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| Institution: | WANG Hua1,YAN Hong2,XU Ji-wen1,JIANG Min-hong1,YANG Ling1 (1.Guangxi Key Laboratory of Information Materials,Guilin University of Electronic Technology,Guilin 541004,China,2.Public Education Department,Zhengzhou Railway Vocational & Technical College,Zhengzhou 450052,China) |
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