掺氧非晶硅的光学带隙和光电导光谱响应

GD非晶硅中氧的掺杂对材料的光电特性有重要的影响。我们测量了a-Si:H和a-Si:H:O的光学带隙和光电导光谱响应,发现掺氧将会使光学带隙有所增加。光电导光谱响应测量表明,掺氧后的非晶硅,较之同样条件下未掺氧的样品,光电导光谱响应的峰值更加接近太阳光谱的峰值,光电导光谱响应半宽度有所增加。此外,在长波限以外,当所用光子能量大于E_B—E_F时,仍测得了微弱的光电导,这可能与带隙态中低于E_F的局域态有关。