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| 硅霍耳元件和特斯拉计 | |
| 引用本文： | 梁晓春,丁丕光,徐彬,李士俊,傅长保.硅霍耳元件和特斯拉计[J].物理,1984(2). |
| 作者姓名： | 梁晓春 丁丕光 徐彬 李士俊 傅长保 |
| 作者单位： | 北京师范学院半导体器件厂 (梁晓春，丁丕光，徐彬，李士俊)，北京师范学院半导体器件厂(傅长保) |
| 摘 要： | 霍耳效应是美国物理学家霍耳于1879年在金属中发现的.1948年以后,半导体的霍耳效应得到了广泛重视,制成了各种霍耳元件.首先出现的是锗霍耳元件,1955年出现了硅霍耳元件.近二十年来,随着化合物半导体材料(如InAs,InAsP,GaAs等)的出现,用化合物半导体制造的霍耳元件由于有较高的稳定性而越来越引起人们的重视(如西德西门子公司的FA,FC和SV系列,美国贝尔公司的BH系列).其中有的元件可用作0.2级甚至0.1级特斯拉计的测磁探头.而硅霍耳元件则相形见拙,在进口产品中,我们只见过配用在2.5级特斯拉计(日本横河电机3251样机)上的硅霍耳测磁探头… |
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