| 微制造光刻工艺中光刻胶性能的比较 |
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| 引用本文： | 来五星,轩建平,史铁林,杨叔子.微制造光刻工艺中光刻胶性能的比较[J].半导体技术,2004,29(11):22-25. |
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| 作者姓名： | 来五星 轩建平 史铁林 杨叔子 |
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| 作者单位： | 华中科技大学微系统中心,武汉,430074;华中科技大学微系统中心,武汉,430074;华中科技大学微系统中心,武汉,430074;华中科技大学微系统中心,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 在MEMS微加工和实验过程过程中,出于制造成本、光刻胶性能的考虑,需要选用合适的光刻胶.本文介绍了常用的正性胶和负性胶以及其曝光、显影的过程,正性胶和负性胶曝光过程漫射的图形缺陷.比较了正性胶和负性胶的各种性能以及各种光刻方式下选用的正负性胶及它们的光刻灵敏度,为微加工过程和实验操作提供指导.
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| 关 键 词： | MEMS 微制造 光刻胶 工艺 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)11-0022-04 |
| 修稿时间： | 2003年12月10日 |
Comparison of Characteristics of Photoresists in Photoithography Process on Micromachining |
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| LAI Wu-xing,XUAN Jian-ping,SHI Tie-lin,YANG Shu-zi.Comparison of Characteristics of Photoresists in Photoithography Process on Micromachining[J].Semiconductor Technology,2004,29(11):22-25. |
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| Authors: | LAI Wu-xing XUAN Jian-ping SHI Tie-lin YANG Shu-zi |
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| Abstract: | In process of micromachining and experiment, because of conclusion of cost andcharacteristic, it needs to select appropriate photoresists. Commonly used positive resists andnegative resists and their exposure, development and edge-scattered radiation are introduced, theircharacteristics are compared, some common positive and negative resists employed in various li-thography strategies as practical guide for selection of a resist tone in micromachining and experi-ment process are listed. |
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| Keywords: | MEMS micromachining resist process |
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