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大直径FZSi中的微缺陷研究
引用本文:张维连,赵红生,孙军生,张恩怀,陈洪建,高树良,刘涛,胡元庆,李颖辉,郭丽华.大直径FZSi中的微缺陷研究[J].人工晶体学报,2002,31(6):595-598.
作者姓名:张维连  赵红生  孙军生  张恩怀  陈洪建  高树良  刘涛  胡元庆  李颖辉  郭丽华
作者单位:河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130;天津半导体材料厂,天津,300130
基金项目:河北省自然科学基金(No.101059)资助项目
摘    要:经过化学-机械抛光后,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分布的条纹图形.使用FTIR、XPS、 SEM能谱分析等手段的测量结果表明,这种旋涡状分布的图形与晶体中的掺杂剂(磷、硼)和杂质氧、碳以及重金属杂质没有明显的依赖关系,它是硅中点缺陷在晶体径向截面上呈不均匀条纹状分布的结果.本文对大直径FZSi中的旋涡缺陷的形成机理和消除方法进行了初步的探讨.

关 键 词:FZSi  旋涡缺陷  热对流  点缺陷  
文章编号:1000-985X(2002)06-595-04
修稿时间:2002年4月5日

Study on the Micro-defects in Large Size FZSi
Abstract:
Keywords:FZSi
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