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超高速单电源GaAs判决再生电路
引用本文:詹琰,王永生,赵建龙,夏冠群,孙晓玮,范恒.超高速单电源GaAs判决再生电路[J].固体电子学研究与进展,2001,21(2):133-138.
作者姓名:詹琰  王永生  赵建龙  夏冠群  孙晓玮  范恒
作者单位:中国科学院上海冶金研究所,
基金项目:“九五”国家重点攻关专题! (编号为 97- 773- 0 1- 0 1- 0 1)
摘    要:设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率可达 2 .8Gbit/s,可用于覆盖 2 .5Gbit/s系列光通信系统

关 键 词:光纤通信  单电源  砷化镓判决再生电路  金属-半导体势垒场效应晶体管
文章编号:1000-3819(2001)02-0133-06
修稿时间:1999年9月27日

A Super High-speed GaAs Decision Circuit with Single Power Supply
Abstract:A super high speed GaAs decision circuit with single power supply applied to optical fiber communication has been designed and simulated. The monolithic GaAs decision circuit with 1 μm depletion mode GaAs MESFET’s is fabricated by direction implantation on no doping SI GaAs substrate and planar circuit procedure. It is proved by test that the circuit can deal with input signal rightly and produce correct digital output signal after being sampled by clock. The circuit can operate at 2.8 Gbit/s, so it can be applied to 2.5 Gbit/s optical fiber communication.
Keywords:optical  fiber  communication  single  power  supply  GaAs  decision  circuit  MESFET
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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