| HgI2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性 |
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| 引用本文： | 许岗,介万奇,李高宏. HgI2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(4): 1008-1011 |
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| 作者姓名： | 许岗 介万奇 李高宏 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072;西安工业大学材料与化工学院,西安,710032 |
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| 基金项目： | 西安应用材料创新基金 |
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| 摘 要： | 利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性.测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109 Ω·cm.计算接触电阻Rc的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×107 Ω和4.3×106 Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触.分析认为AuCl3/HgI2接触中电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/ HgI2具有良好的欧姆接触特性.溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差.
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| 关 键 词： | 碘化汞 Au AuCl3 接触特性 I-V特性, |
I-V Characteristics of HgI_2 Crystal with Sputtered Au and Electroless Au Contacts |
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| XU Gang,JIE Wan-qi,LI Gao-hong. I-V Characteristics of HgI_2 Crystal with Sputtered Au and Electroless Au Contacts[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 38(4): 1008-1011 |
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| Authors: | XU Gang JIE Wan-qi LI Gao-hong |
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| Affiliation: | 1.School of Materials Science and Engineering;Northwestern Polytechnical University;Xi'an 710072;China;2.School of Materials and Chemical Engineering;Xi'an Technological University;Xi'an 710032;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Au AuCl3 |
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