钒膜的制备及其超导转变温度

在1×10~(-5)托普通高真空系统中用电子枪蒸发源在150℃以上的微晶玻璃和熔融石英底板上淀积得到了钒膜。俄歇谱分析表明钒膜含有较多量的氧和碳,在钒膜内部氧峰远远低于表面。对钒膜的超导转变温度作了测量,Tc的最高值为4.35K。超导转变温度Tc正比于薄膜电阻比(ρ_(300)—ρ_r)/ρ_(300)。本文强调指出:欲制取Tc高于4K的钒膜有两个重要的因素,即使蒸发淀积时真空度仅为1×10~(-5)托,一是保持较高的底板温度,二是在薄膜淀积前作多次预蒸发,以降低真空室中剩余气体氧的分压。