| 超陷光黑硅结构研究 |
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| 引用本文： | 钱超峰,王庆康,李海华. 超陷光黑硅结构研究[J]. 光学学报, 2011, 0(10): 53-57 |
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| 作者姓名： | 钱超峰 王庆康 李海华 |
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| 作者单位： | 上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家863计划(2011AA050518); 国家973计划(2010CB933702); 上海市科学技术委员会纳米专项项目(0952nm06400)资助课题 |
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| 摘 要： | 研究了超陷光黑硅表面圆锥阵列结构的设计.将圆锥结构分为五层,利用等效媒质理论进行了参数设计.考虑了硅材料折射率随波长的变化,用严格耦合波理论对不同入射角,圆锥阵列结构高度以及占空比时的反射率进行了计算分析.发现,圆锥阵列超陷光结构的周期为135 nm,高度为480 nm时,在0°～60°入射角范围内,对波长为300～1...
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| 关 键 词： | 衍射 黑硅 等效媒质理论 超陷光 圆锥阵列结构 |
Design of Black Silicon with Ultra-Light-Trapping Structure |
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| Qian Chaofeng Wang Qingkang Li Haihua. Design of Black Silicon with Ultra-Light-Trapping Structure[J]. Acta Optica Sinica, 2011, 0(10): 53-57 |
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| Authors: | Qian Chaofeng Wang Qingkang Li Haihua |
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| Affiliation: | Qian Chaofeng Wang Qingkang Li Haihua(National Key Laboratory of Micro/Nano Fabrication Technology,Key Laboratory for Thin Film andMicro Fabrication Technology of Ministry of Education,Research Institute of Micro/Nano Science and Technology,Shanghai Jiao Tong University,Shanghai 200240,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diffraction black silicon rigorous coupled-wave theory ultra-light-trapping conical array |
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