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大功率RCGTO结构设计
引用本文:陈辉明,向群.大功率RCGTO结构设计[J].半导体技术,1994(2):33-34,38.
作者姓名:陈辉明  向群
作者单位:浙江大学
摘    要:本文介绍我们研制成功的200A/160A,1000V大功率RCGTO结构设计。主要内容包括门阴极结构,电隔离结构和阴极平面配置。

关 键 词:晶闸管  RCGTO  结构设计
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