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ITO前驱物氢氧化铟In(OH)Zr3理论研究
引用本文:张维佳,王天民. ITO前驱物氢氧化铟In(OH)Zr3理论研究[J]. 物理学报, 2004, 53(6): 1923-1929
作者姓名:张维佳  王天民
作者单位:北京航空航天大学理学院,北京 10083
基金项目:国防预研项目(批准号:413100202)资助的课题.
摘    要:分析了铟锡氧化物IT0(Indium Tin Oxide)前驱体氢氧化铟In(OH)3的结构,理论计算了其马德隆常数和晶格能,其值分别为2.9488和-5095.21kJ/mol, 并给出了晶核表面自由能近似公式和晶核生长率的近似表达式,进而计算了采用化学沉淀法制备In(OH)3纳米粉末时的晶核形成参数, In(OH)3晶核生长初期的生长率约为0.012nm/s.关键词:纳米粉末In(OH)3表面自由能晶核生长

关 键 词:纳米粉末  In(OH)3  表面自由能  晶核生长
文章编号:1000-3290/2004/53(06)/1923-07
收稿时间:2003-08-01

Study of indium trihydroxide In (OH)Zr3 for ITO
Zhang Wei-Jia and Wang Tian-Min. Study of indium trihydroxide In (OH)Zr3 for ITO[J]. Acta Physica Sinica, 2004, 53(6): 1923-1929
Authors:Zhang Wei-Jia and Wang Tian-Min
Abstract:The structure of indium trihydroxide In(OH)3 for ITO(Indium Tin Oxide) has been analysed, the Madelung constant and lattice energy of In(OH)3 have been calculated, they are 2.9488 and -509521kJ/mol respectively, and a surface energy approximative expression is given, and then ulteriorly In(OH)3 crystal granule parameters are calculated in preparing nanosized In(OH)3 powder using the method of chemical precipitation,the growth rate 0.012nm/s about is given in this paper.
Keywords:nanosized powder   In(OH)3   surface en
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