紫外激光晶体Ce3+:LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应 |
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引用本文: | 魏亚光,施朝淑,周东方,陶德节,汤洪高. 紫外激光晶体Ce3+:LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应[J]. 发光学报, 2001, 22(3): 258-262 |
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作者姓名: | 魏亚光 施朝淑 周东方 陶德节 汤洪高 |
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作者单位: | 1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 2. 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(59732040) |
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摘 要: | 在105-300K温区内,测量了X射线激发下Ce^3 :LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖(I-T),在237-300K温区内发光强度有特殊的增强结构,结合105-300K温区内热释光的测量,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致,通过对热释光曲线的进一步分析,得到深度分别为0.51eV和0.55eV的陷阱能级,这些陷阱主要源于Ce^3 取代Sr^2 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F^-空位以及Li^ 空位所形成的本征缺陷。
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关 键 词: | Ce^3+:LiSrAlF6 晶体 发光强度 温度依赖 热释光 陷阱 紫外激光 本征缺陷 |
文章编号: | 1000-7032(2001)03-0258-05 |
修稿时间: | 2000-06-18 |
Traps Effect on Temperature Dependence ofLuminescent Intensity of Ce3 + :LiSrAIF6 UV Laser Crystal |
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Abstract: | |
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