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| 洁净硅片表面初始氧化态的AES研究 | |
| 作者姓名： | 王化文 王乃铸 顾香春 |
| 作者单位： | 北京东光电工厂(王化文)，电子工业部十二所(王乃铸)，电子工业部十二所(顾香春) |
| 摘 要： | 已有不少学者研究了常温下洁净硅片表面对氧的吸附和随后发生的硅的自然氧化问题.一九七五年S、I、Raider等人曾用ESCA研究了用HF腐蚀过的洁净硅片表面对氧的吸附.他们发现用ESCA所测得的表面氧大部分是吸附的,而不是处于化合状态.C.M.Car-ner等人的研究也认为洁净硅片表面所覆盖 |
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